过剩施主浓度检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.载流子浓度（n/p）：测量范围1E12~1E20cm⁻，精度3%

2.迁移率（μ）：测试范围10~15000cm/(Vs)，温度条件77K~300K

3.电阻率（ρ）：量程0.001~100Ωcm，四探针法1%重复性

4.载流子寿命（τ）：时间分辨率0.1ns~10ms，微波光电导衰减法

5.掺杂浓度分布（Nd/Na）：纵向分辨率≤5nm，二次离子质谱深度剖析

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)单晶片

2.光伏材料：多晶硅锭、CIGS薄膜太阳能电池吸收层

3.电子器件：MOSFET沟道区、IGBT基区掺杂层

4.化合物半导体：氮化镓(GaN)外延层、碳化硅(SiC)衬底

5.纳米电子材料：石墨烯异质结、量子点发光层

检测方法

1.霍尔效应法：ASTMF76-08(2020)、GB/T1550-2018半导体导电类型判定

2.四探针法：GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定

3.二次离子质谱(SIMS)：ISO17560:2014深度剖析、GB/T32281-2015半导体杂质分析

4.电容-电压法(C-V)：ASTMF1392-00(2020)载流子浓度测试

5.光致发光谱(PL)：ISO23125:2019半导体缺陷表征

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持AC/DC霍尔效应测量与C-V特性分析

2.AccentHL5500PC霍尔测试系统：配备0.55T永磁体与液氮杜瓦低温组件

3.FourDimensions280SI四探针系统：自动压力控制探头(10g~500g可调)

4.PHInanoTOFII飞行时间二次离子质谱仪：质量分辨率＞15,000@m/z=29

5.AgilentB1500A半导体器件分析仪：1μHz~1MHz宽频C-V特性测试模块

6.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：配备325nm/532nm/785nm多波长激光源

7.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：检出限＜0.1ppt的痕量掺杂元素分析

8.OxfordInstrumentsVersaProbeXPS：空间分辨率＜7.5μm的表面化学态分析

9.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：微波反射式非接触测量模式

10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：PeakForceTapping模式表面形貌表征

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质